科林研发与 imec 扩大联合研发
AI 总结
据科技新报报道，科林研发与 imec 扩大合作，联合研究先进 3D 整合、次世代 3D 存储制程，以及面向 High-NA EUV 微影的 Aether 干式光阻。3D 整合项目涵盖介电层沉积、应力补偿、晶圆边缘沉积、电浆切割与制程验证；存储研究则包括电荷捕捉材料、多层沉积、高深宽比蚀刻、接点及低电阻互连。科林研发称，先前合作已利用单次曝光 High-NA EUV 微影完成线距低于 20 奈米的钌直接金属蚀刻互连图型化，厂商报告的叉形结构电性良率为 100%，曲折结构则超过 90%。
深度见解
合作聚焦先进封装、3D 存储与 High-NA EUV 的量产准备，并面向未来 AI 运算芯片制程，但量产能力与性能数据主要来自厂商自述。
人工智慧（AI）運算需求持續攀升，半導體產業的技術競爭已從電晶體微縮，進一步延伸至先進封裝、3D 整合及新世代微影技術。科林研發（Lam Research）宣布擴大與 imec 策略合作，新增先進 3D 整合技術及 Aether 乾式光阻兩大聯合研發項目，分別瞄準次世代封裝與記憶體製程，以及 High-NA EUV 微影技術，目標加速相關技術從研究階段邁向量產。
科林研發指出，3D 整合能將不同功能的晶片垂直堆疊或整合，提高系統效能、記憶體容量與頻寬，同時改善能源效率。在傳統電晶體微縮難度日益增加的情況下，先進封裝已成為延續半導體效能成長的重要途徑。不過，要讓異質整合架構進一步擴大應用，仍須克服材料、薄膜沉積、蝕刻及製程整合等多項挑戰。
#Lam Research#imec#Aether dry resist#Akara etch system#Striker ALD#High-NA EUV#GAA#CFET