三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 定制 AI 闪存
AI 总结
据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向人工智能负载优化的 NAND 闪存。其中 zNAND-T 的 “T” 代表吞吐量（Throughput），采用 TSV 堆叠 NAND Die，为数据中心 AI 半导体优化读写带宽，报道称其思路类似闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念；zNAND-I 的 “I” 对应 IOPS，强调少量数据频繁读写场景下的随机性能，KV Cache 卸载即属于此类应用。另有消息称三星宣布了提升 AI 基础设施性能的下一代内存与存储技术战略，涵盖高性能存储器、基于 Compute Express Link（CXL）的存储扩展技术以及新一代 SSD 数据存储与管理方案。加上此前已公布的 zNAND-O，三款 zNAND 各有专长，报道将其视为 NAND 从通用型产品转向定制化负载优化的信号。
深度见解
AI 推理对存储带宽与随机读写的需求正在分化，定制化 NAND 成为存储厂商切入数据中心 AI 基础设施的一条新路径。