SK 海力士：2030 年 AI 基础设施性能增约 20 倍
AI 总结
据韩联社报道，SK 海力士开发总管安炫在首尔 COEX 举行的第 28 届韩国半导体大展（SEDEX 2026）主旨演讲中预测，到 2030 年 AI 基础设施的性能规模将增长约 20 倍。他表示，AI 推理市场正沿任务复杂度提升、上下文长度激增和推理请求量井喷三个方向同时扩张，导致键值缓存（KV Cache）容量不断膨胀，数据必须分摊存储于 HBM、DRAM 与 SSD 等不同介质，由此产生的数据迁移正成为性能与能耗的新瓶颈。为此 SK 海力士除优化现有 HBM 外，正研发将 DRAM 直接堆叠在 GPU、NPU 等逻辑芯片之上的 3D 堆叠 DRAM，以及把硅通孔堆叠与高速 I/O 引入 NAND 的高带宽闪存 HBF，目标是把 HBF 带宽做到同代 HBM 的约 50%，并实现约 10 倍容量扩容。
深度见解
这一预测把存储层次结构而非单颗芯片推到了 AI 算力扩张的中心，为 HBM 之后的下一代存储技术给出了明确的时间表预期。