科技新报引述THEELEC与业界消息称，三星系统LSI部门决定将次世代外挂式5G基频芯片M2800推进至2纳米制程，该芯片预计2027年完成开发，并将在2028年上市的Galaxy S28系列中与Exynos 2800以双芯片架构搭配。报道指出，此举可释放原有4纳米产能，三星晶圆代工部门正把大量4纳米产能转向HBM基础芯片，即HBM堆叠最底层含控制电路的那一层；2027年Galaxy S27所用的M2700仍沿用4纳米，旧的Shannon品牌已停用、全面改为M系列命名。cnBeta的分析补充称，三星正在验证以自家2纳米制造英伟达定制NVHBM基础芯片的可行性（此前供应商被要求采用台积电3纳米），并指出尚无证据显示高通已决定把旗舰骁龙交由三星2纳米代工。科技新报还提到三星MX部门内部测试对4纳米M2700的能效与数据传输速度给出积极评价，属厂商说法。