季辛格支持 Nagare Labs 的 Z2RAM 研发
据 TechNews 与 Wccftech 报道，英特尔前 CEO Pat Gelsinger 正支持 Nagare Labs 及其 Z2RAM 记忆体技术。这项仍处于实验室原型阶段的研发，旨在结合 SRAM 的速度、DRAM 的密度与 Flash 的可扩充性。Z2RAM 采用氧化物半导体和双晶体管单元，Nagare Labs 正研究垂直堆叠，并通过 3D 混合键合直接整合至逻辑芯片。公司称首代版本的位元密度可望超过 SRAM 的 5 倍，同时维持相近频宽。Nagare Labs 已完成 500 万美元种子融资，并正寻求研发与制造伙伴。该技术目前仍是实验室原型，且尚无可将此类记忆体整合进加速器的标准。
AI 工作负载本质上受记忆体限制，Z2RAM 的研发目标正是解决频宽与容量约束。由于该技术仍处于实验室原型阶段，且整合标准尚未建立，其实际意义仍不确定。
英特爾（Intel）前執行長季辛格（Pat Gelsinger）看好新創公司 Nagare Labs 的 Z2RAM 記憶體技術，認為它有機會打破半導體產業長期以來的「記憶體牆」。他指出，過去 30 年來，廣泛部署的記憶體類型幾乎只有 SRAM、DRAM 與 Flash，而 Z2RAM 目標是把三者的優點結合在一起，朝向「接近 SRAM 的速度、接近 DRAM 的密度，以及類似 Flash 的可擴充性」前進。
Nagare Labs 由喬治亞理工學院教授蘇曼·達塔（Suman Datta，首圖右）與 Shimeng Yu（首圖左）創立，技術核心是以氧化物半導體打造記憶體，並透過 3D 混合鍵合直接整合到運算邏輯上。公司表示，Z2RAM 的首代版本位元密度可望達到 SRAM 的 5 倍以上；若以 64MB 的 SRAM 晶片區塊為例，同樣空間內的 Z2RAM 可放入約 320MB，且頻寬可望相近。
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