铭芯启睿1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片
AI 总结
铭芯启睿（MemSilicon）于10月12日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正在推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，即一个选择晶体管对应四个阻变存储单元，单芯片容量1Gb，存储密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司称该芯片在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破，并围绕嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM以及与DRAM结合的混合存算布局三条产品线。
深度见解
若验证顺利，高密度片上非易失存储有望缓解AI推理芯片的“内存墙”和KV Cache容量压力，但量产与客户导入仍待观察。