据首尔经济日报报道，英伟达已要求其NVHBM的三家供应商——三星电子、SK海力士和美光——统一使用台积电3纳米工艺制造基底裸片（base die），核心裸片则统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。报道称三星设备解决方案部门经内部评估后已接受该要求，这是三星首次在HBM制造上与台积电合作，打破其以往核心裸片与基底裸片全部自制的“交钥匙”模式。三星仍保留标准HBM4、HBM4E及其他客户定制HBM的自制方案，并在评估由自家晶圆厂生产NVHBM基底裸片的可能性，以防台积电产能不足；三星对媒体表示不对涉及客户的事项发表评论。