长鑫科技完成第六代4F² DRAM样片验证
AI 总结
长鑫科技表示，基于4F²垂直沟道DRAM架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。公司此前预计年底推出面向服务器、融合4F²技术的新一代DDR5 RDIMM产品。cnBeta援引产业实践称，样片验证意味着平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，客户端验证后仍可进入规模量产阶段。
深度见解
IEEE IRDS认为，在DRAM单元微缩难度上升时，从6F²转向4F²是维持成本趋势最有前景的路径，因此该进展与先进存储制造及服务器内存供给相关。
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