长鑫4F² DRAM突破引发全球存储股暴跌
AI 总结
10月10日长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，4F² DRAM架构研发取得关键进展，核心是自研的VSG垂直包围沟道晶体管，并预计年底推出融合4F²架构与晶圆级混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。消息传出后存储股重挫：三星电子收盘跌7.39%，SK海力士跌10.09%，KOSPI下跌5.46%并触发SIDECAR暂停程序化卖盘，美光股价跌破每股1000美元；CNBC则将亚洲科技股抛售部分归因于美联储加息担忧与AI投资回报疑虑。该报道还称长鑫上半年营业收入1503.1亿元、同比增长873.64%，归母净利润776.05亿元，其全球DRAM营收份额从2025年二季度的4%升至2026年二季度的10%，但HBM3E预计2027年才量产，在HBM领域落后三星、SK海力士约三到四年。
深度见解
存储正从周期品变为AI基础设施的核心资源，中国厂商在DRAM架构上的进展可能松动三星、SK海力士与美光长期把持的寡头定价与技术话语权。